IBM, Infineon et UMC ont annoncé une alliance pour développer la prochaine génération de mémoires DRAM à base de cuivre et de gravure en 0,13 micron pour l’an prochain, et en 0,10 micron à partir de 2002. Le travail de recherche s’effectuera dans les laboratoires d’IBM, tandis que la production sera confiée au taïwanais UMC. L’objectif est de produire pour 50 milliards de dollars (49,7 milliards d’euros) de composants dans les cinq années à venir.
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