En collaboration avec Hitachi, des chercheurs de l’université de Cambridge ont mis au point une mé-moire de 9 bits dont chaque bit nécessite moins de 10 électrons, soit environ 100 000 fois moins que les mémoires classiques. Principaux avantages : faible consommation et grande rapidité. Cette mémoire est constituée d’une grille de 3 x 3 cellules, formées de fils de silicium de 50 nm de diamètre, et fonctionne selon un principe quantique dit ” blocage de Coulomb “. L’emploi de nanofils de silicium, le composant de base des circuits actuels, faciliterait son intégration dans les composants électroniques. Pour l’instant, cette mémoire ne fonctionne quà 60 K (- 213?’ C).
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