TSMC prépare la construction de son usine pour graver des puces en 1 nm !

Toujours plus petit : le fabricant de puces TSMC, qui doit livrer ses premières puces 3 nm (N3) à ses clients dans la fin de cette année, va bientôt lancer la construction de sa future usine de pointe gravant les puces en… 1 nm. Loin d’être une rumeur loufoque, cette information provient du quotidien économique taïwanais Commercial Times (lien en chinois traditionnel). Une publication qui croit savoir où sera localisée l’usine : dans le parc industriel du district de Longtan, où la firme exploite déjà deux sites – l’un pour le packaging (assemblage de morceaux de puces) et l’autre pour les productions de test.

Le taïwanais TSMC semble inarrêtable. Jugez plutôt : il n’a pas lâché la couronne de champion de la réduction de la taille des circuits intégrés depuis son passage au 7 nm. La version améliorée de son 3 nm (N3E) arrive fin 2023 et son 2 nm est déjà sur les rails pour une production de masse en 2025. Dans ce contexte, la projection d’une finesse de gravure en 1 nm impressionne. Tout en paraissant presque logique : TSMC a toujours communiqué des feuilles de route à plus ou moins cinq ans. Une arrivée du 1 nm en 2027 parais donc déjà une réalité pour le fondeur.

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Ce qui n’en reste pas moins une performance qui devrait énormément profiter aux produits du futur. En effet, alors qu’un passage de 3 nm à 2 nm représente une baisse de 30 % de la taille des circuits, celui de 2 nm à 1 nm est un saut de 50% ! Quand on sait que le 2 nm promet de 10% à 15% de performances en plus, le tout en consommant 25 % à 30 % moins d’énergie, on peut imaginer un ordre de magnitude plus grand pour le 1 nm.

Une finesse de gravure qui, dans les faits, attire moins par la montée en performance pure – qui peut se plaindre d’un smartphone ou d’un PC portable haut de gamme ? – que par la consommation électrique. Si TSMC arrive à atteindre rapidement de hauts rendements, les puces de 2030 pourraient être des trésors de sobriété énergétique. Que l’on pourrait retrouver, à terme, dans la plupart des terminaux mobiles. Permettant d’imaginer, qui sait, des endurances d’une semaine ?

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Si la finesse de gravure fut l’un des axes majeurs de l’amélioration des performances des puces ces dernières décennies, l’industrie sait qu’elle a potentiellement d’elle un mur technologique pour descendre au-delà du 1 nm. Ce qui est palpable dans les annonces : si le 1 nm a fait l’objet d’articles dans nos colonnes, jamais nous n’avons eu l’écho d’expérimentations réussies pour aller au-delà. Heureusement qu’il reste encore des pistes, comme les VFET, pour améliorer les performances à finesse constante.

Mais en attendant de se heurter au mur, TSMC avance. Loin devant Samsung et Intel.

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Source : Taiwan News, Commercial Times