TSMC n’en fini pas de poursuivre ses efforts de réduction de la taille des processeurs et c’est aujourd’hui vers l’étape « 2 nanomètres » que le fondeur taïwanais se dirige.
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) vient en effet de lancer la construction de son complexe de production de semi-conducteurs en « node » 2 nm.
Basé sur des machines employant la technologie des ultraviolets extrêmes (EUV), ce complexe comprend à la fois le centre de R&D et l’usine. La construction des deux bâtiments attenants a été lancée de manière concomitante, car TSMC est pressé. Très pressé même. Selon la feuille de route du Taïwanais, la production devrait commencer aux alentours de l’année 2024.
Les 8.000 employés du site produiront des puces non seulement gravées en 2 nm, mais aussi conçues avec des procédés de pointe. En effet, la finesse de gravure ne fait pas tout. Outre l’écartement minimal entre les transistors, compte aussi l’agencement spatial des éléments ainsi que la méthode de gravure des circuits.
Pour l’heure, si TSMC grave finement les circuits, il le fait souvent en utilisant un procédé dit FinFet, qui ne fait passer qu’un circuit par porte. La nouvelle usine 2 nm sera sise dans le parc technologique de Hsingchu, dans lequel TSMC dispose déjà de plusieurs sites. Elle utilisera non seulement le procédé GAAFET (gate all around) qui permet de faire passer plusieurs circuits par porte. Mais, en plus, TSMC promet d’améliorer la complexité spatiale des puces en faisant appel à un panel de technologies réunies sous l’appellation « 3D Fabric ». Un pot-pourri de technologies qui consiste, en gros, à empiler des éléments (parfois produits à différentes finesses de gravure) afin de produire des puces plus complexes, plus compactes et moins chères.
Le « one more thing » de la nouvelle étant que TSMC profite du lancement de la construction de l’usine pour mettre en place sa feuille de route… en 1nm.
Sources : Digitimes via TechPowerUp
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