C’est, selon Intel, son innovation la plus importante de l’année. Le fondeur américain n’hésite même pas à qualifier ses nouveaux transistors Tri-Gate de « révolution » pour le marché des microprocesseurs. C’est en effet la première fois que « des transistors à structure tridimensionnelle seront mis en production en grande série depuis l’invention des transistors en silicium, voici 50 ans », d’après la firme, pas peu fière de cette nouvelle technologie sur laquelle elle travaille depuis presque dix ans.
Ces nouveaux transistors consomment moins d’énergie et permettent, selon le fondeur, des gains de performances allant jusqu’à 37 % en basse tension, par rapport aux modèles actuels, gravés en 32 nanomètres. Les Tri-Gate, eux, atteignent une finesse de 22 nanomètres. Ils seront mis en production en grande série d’ici à la fin de l’année et seront d’abord utilisés dans un futur processeur de la marque (nom de code : Ivy Bridge), destiné à équiper PC de bureau, portables et serveurs. Intel précise par ailleurs qu’ils permettront de concevoir des puces Atom « plus fortement intégrées ».
Cette nouvelle technologie permet aussi à la firme de Santa Clara de poursuivre son évolution au rythme de la loi énoncée par son cofondateur, Gordon Moore, selon laquelle le nombre de transistors sur une puce de silicium double tous les deux ans.
Comment ça marche ?
Pour comprendre pourquoi, il faut plonger au cœur des processeurs et des centaines de millions de transistors qui le constituent. Le transistor est un interrupteur, muni d’une « porte » capable de laisser passer ou non le courant. Les Tri-Gate peuvent ainsi passer de la position on à la position off ou inversement au rythme hallucinant de 100 milliards de fois par seconde !
A la différence des transistors classiques, les Tri-Gate sont équipés une ailette rectangulaire placée verticalement (voir l’image ci-contre). Trois portes (représentées par les bordures jaunes sur les côtés), contre une seule auparavant, contrôlent donc désormais le passage du courant ; il est ainsi possible de faire transiter plus de courant qu’auparavant lorsque le transistor est en position on et de réduire les pertes au minimum quand il est en position off. Résultat : la consommation d’électricité baisse, et l’efficacité du processeur augmente. D’autre part, cette position verticale permet de placer plus de transistors dans un même espace.
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