En marge du dernier IDF (Intel Developer Forum), qui s’est déroulé du 9 au 12 septembre à San José (Californie), AMD a franchi une nouvelle étape dans la course à la miniaturisation des semi-conducteurs. Le fondeur californien de Sunnyvale a annoncé la conception d’un transistor “double gate”, d’une taille de 10 nanomètres, soit 6 fois plus petit que ceux en production actuellement. La technologie “double gate” autorise une augmentation de la vitesse de traitement des transistors en doublant le flux électrique les parcourant. La prouesse d’AMD est une étape importante. Une surface, contenant pour l’heure 100 millions de transistors, pourrait bientôt en héberger environ 1 milliard. Ces premiers résultats ont été obtenus par les efforts conjoints d’AMD et de l’Université de Berkeley. Les travaux sont encore du domaine de la recherche et développement. Même si elle ne nécessite pas de modification profonde des procédés de conception, la production de ces transistors nest pas envisagée avant plusieurs années.
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