Membre du consortium SRAM QDR, Samsung a annoncé que la mémoire SRAM QDR, destinée aux matériels pour réseaux à haut débit (jusqu’à 10 Gbit/s), serait produite avant la fin de cette année. Cette mémoire, dite “Quad Data Rate” (QDR), fonctionne à une fréquence de 200 MHz et peut traiter jusqu’à quatre fois plus de données que l’ancienne génération. La particularité de ce composant provient du fait qu’il possède deux ports distincts fonctionnant indépendamment. Cela permet de transmettre jusqu’à quatre fois plus de données par cycle d’horloge. À la différence des SRAM conventionnelles, les processus d’entrée et de sortie sont séparés, afin d’éviter la collision des données pendant leur transmission (encombrement du bus en cas de conflit de priorité).
Un standard en devenir
Les composants produits auront une capacité de 16 Mbit (il faudra associer huit composants pour atteindre une capacité de 16 Mo), et Samsung utilisera un boîtier d’une taille de 13 x 15 mm, presque deux fois plus petit que celui de la SRAM conventionnelle. Les caractéristiques des boîtiers qui accueilleront les futures SRAM de 128 Mbit/s seraient par ailleurs déjà définies. Le consortium, où siègent également Micron Technology, Cypress Semiconductor, NEC et IDT, estime que la SRAM QDR est appelée à devenir rapidement un standard. Il revendique par ailleurs 70 % de la production mondiale de la mémoire SRAM.
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