Le smartphone Galaxy S10 de Samsung va-t-il disposer de 1 To d’espace de stockage ? L’information sera confirmée par le constructeur lors du lancement le 20 février, mais il y a de fortes chances que cette capacité soit confirmée. En effet, Samsung vient d’annoncer le premier circuit de mémoire flash de 1 To qui utilise le standard eUFS 2.1 (embedded Universal Flash Storage), désormais employé dans les smartphones à la place du standard eMMC.
De plus, le circuit bénéficie de la mémoire flash V-NAND de cinquième génération du constructeur, plus performante. La puce comporte 16 couches de plaques (die en anglais) de 512 Gbit et possède exactement la même taille que le circuit de 512 Go, lancé fin 2017 par Samsung.
Plus rapide en lecture qu’un SSD
Samsung a également réussi à augmenter les performances de sa mémoire flash. Ainsi, la puce de 1 To offre des débits de 1000 Mo/s en lecture, soit plus que les 600 Mo/s d’un SSD 2,5 pouces, et 260 Mo/s en écriture. Elle est ainsi 10 fois plus rapide qu’une carte microSD et permet de charger plus rapidement le système d’exploitation et les applications.
En outre, elle gère mieux le multitâche avec 58 000 opérations d’entrée/sortie par seconde en lecture et 50 000 opérations en écriture. De quoi offrir un stockage plus rapide et plus important pour les smartphones haut de gamme.
Source :
Samsung
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