Avec l’arrivée de la vidéo 8K dans notre smartphone, la question des débits en écriture se pose et Samsung vient d’apporter une réponse. Le constructeur lance la production en masse de puces de stockage flash eUFS 3.1 (embedded Universal Flash Storage), un standard désormais employé dans les smartphones à la place de la technologie eMMC. Ce circuit offre 512 Go de stockage et des débits de 2100 Mo/s en lecture et 1200 Mo/s en écriture.
Trois fois plus rapide en écriture
Ainsi, le circuit eUFS 3.1 de 512 Go est trois fois plus rapide que la version eUFS 3.0 lancée en février 2019 par le constructeur (2100 Mo/s en lecture et 410 Mo/s en écriture). Il est également plus rapide qu’un SSD SATA classique, limité à 600 Mo/s en lecture et en écriture.
En outre, la puce de 512 Go gère mieux le multitâche avec 100 000 opérations d’entrée/sortie par seconde en lecture et 70 000 opérations en écriture. Le constructeur a également annoncé l’arrivée de puces eUFS 3.1 de 128 et 256 Go, plus tard dans l’année.
En revanche, la capacité de 1 To reste pour l’instant en eUFS 2.1, avec des débits de 1000 Mo/s en lecture et seulement 260 Mo/s en écriture. Enfin, Samsung n’a évidemment pas encore précisé quels seront ses smartphones qui bénéficieront des nouveaux circuits de stockage.
Source : Samsung
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