Samsung passe un nouveau palier dans la conception de puce pour SSD. A l’occasion du salon Flash Memory Submit de Santa Clara (Californie) et à peine quatre ans après l’annonce de sa mémoire flash V-NAND, le géant coréen présente une puce mémoire pour SSD de… 2 To. Celle-ci est composée de 16 plaquettes (die en anglais) de 1 Tbit (128 Go) : en clair, le constructeur double -voire quadruple- la densité des dies mémoire utilisées dans les SSD actuels (256 Gbit ou 512 Gbit).
Pour cela, il met en œuvre la cinquième génération de mémoire 3D V-NAND avec 96 couches de cellules, contre 64 couches actuellement. De plus, Samsung change également le nombre de bits par cellule. Ce dernier passe à quatre (QLC) (contre deux (MLC) ou trois (TLC)), ce qui pourrait poser des problèmes de performances, particulièrement en écriture. En effet, nous avons souvent constaté qu’entre des modèles de SSD équipés de modules MLC et TLC, les vitesses (en écriture) pouvaient varier de manière importante.
Les puces mémoire de 2 To devraient être disponibles l’année prochaine, mais Samsung n’a pas précisé quelles capacités de SSD allaient être proposées grâce à ces circuits. Actuellement, la plus haute capacité pour un SSD grand public est de 4 To avec huit puces de 512 Go. Il n’est donc pas impensable de voir arriver à court terme un SSD de 16 To sur le marché.
Un nouveau format pour les SSD
Samsung a également dévoilé le format NGSFF (Next Generation Small Form Factor), voué à remplacer l’actuel format M.2 utilisé par les SSD sans boîtier. L’objectif est de conserver un format compact (30,5 x 110 x 4,38 mm), d’offrir plus d’opérations d’entrées/sorties par seconde (IOPS) et un meilleur rapport capacité/encombrement. Les SSD NGSFF seront disponibles au quatrième trimestre, dans une capacité de 16 Go, mais surtout destinés aux serveurs d’entreprise, en particulier à ceux en rack.
Source :
Anandtech
🔴 Pour ne manquer aucune actualité de 01net, suivez-nous sur Google Actualités et WhatsApp.
