Le salon Flash Memory Summit 2016 de Santa Clara est l’occasion pour les constructeurs de montrer leurs avancées technologique en matière de mémoire Flash. Après Seagate et son SSD 3,5 pouces de 60 To, c’est au tour de Samsung de battre un record de capacité avec un SSD 2,5 pouces de 32 To. Pour cela, le constructeur utilise la quatrième génération de mémoire flash V-NAND, qui est capable d’empiler au sein de la même plaquette 64 couches de cellules, contre 48 précédemment, pour offrir une capacité de 512 Gbit par plaquette. Le SSD de 32 To comporte 32 circuits mémoire de 1 To et chaque circuit intègre 16 plaquettes de 512 Gbit.
Le périphérique utilise le même format 2,5 pouces que les SSD traditionnel mais emploie une interface SAS (Serial Attached SCSI), ce qui le destine aux serveurs d’entreprise, en particulier les modèles en rack. Samsung n’a pas indiqué des performances précises pour son SSD mais chaque circuit de mémoire est capable d’atteindre des débits de 1500 Mo/s en lecture et 900 Mo/s en écriture, contre environ 500 Mo/s pour un modèle 2,5 pouces Sata grand public.
Le SSD 32 To de Samsung est prévu pour 2017 pour un prix non communiqué. Notons que le constructeur a récemment mis sur le marché un modèle de 15 To, le PM1663a, vendu 10 000 dollars. Dans son communiqué, Samsung mentionne l’objectif ambitieux d’atteindre les 100 To d’ici 2020.
Source : Samsung
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