Le consortium américain Extreme Ultraviolet Limited Lia-bility Co. (EUV LLC) vient de présenter le premier équipement prototype de fabrication de semi-conducteurs exploitant la lithographie par rayons ultraviolets extrêmes. L’EUV LLC, qui regroupe AMD, Intel, Micron Technologies, Infineon et trois laboratoires, affirme que sa technologie entrera en phase de tests en 2003, et en production en 2005. Elle permettra de graver des motifs de 70 nm, contre 180 nm actuellement. À terme, cette technologie permettra d’atteindre des fréquences de fonctionnement de 10 GHz pour une finesse de gravure de 10 nm. IBM, qui privilégiait jusqu’alors une technologie concurrente, à base de faisceaux d’électrons, s’est rallié au consortium le lendemain de l’annonce. Il n’abandonnera cependant pas ses propres recherches, menées conjointement avec Nikon.
Une technologie économique
Le procédé de fabrication actuel, également lithographique, mais utilisant des longueurs d’onde plus grandes, atteindra ses limites physiques d’ici à 2005. Différentes recherches visant à lui trouver un remplaçant sont poursuivies depuis dix ans. Le faisceau d’électrons ne devrait déboucher sur un prototype qu’en 2003. Les travaux sur les rayons X sont encore moins avancés. Comparativement, les ultraviolets promettent de limiter les bouleversements de la chaî ne de production, lourde et coûteuse à mettre en place.
🔴 Pour ne manquer aucune actualité de 01net, suivez-nous sur Google Actualités et WhatsApp.
