Une nouvelle entreprise, Nantero, vient d’ajouter son nom à la liste de celles recherchant le Saint-Graal de l’industrie des semi-conducteurs : la puce mémoire universelle c’est-à-dire celle qui saura associer les faibles
coûts de production et la rapidité de la mémoire RAM à de faibles consommations électriques et à la non-volatilité de la mémoire Flash. Localisée à Boston, Nantero affirme que sa puce mémoire, baptisée NRAM (Nanoscale RAM), réunit toutes ces
qualités, grâce à une approche complètement différente de celle des technologies concurrentes : les nanotubes de carbone.
Des cylindres d’une dizaine d’atomes de diamètre
Découverts en 1991 par Nec, les nanotubes de carbone présentent des caractéristiques étonnantes. Ces minuscules cylindres ont un diamètre d’une dizaine d’atomes, soit moins de trois nanomètres pour comparaison, la taille des
transistors du Pentium 4 est quarante fois plus importante. Plusieurs dizaines de fois plus résistants que l’acier, les nanotubes de carbone sont aussi durs que le diamant et aussi bons conducteurs électriques que le cuivre.Le principe de la puce NRAM consiste à exploiter des centaines de milliards de ces nanotubes disposés verticalement sur une galette de silicium. En réponse à une charge électrique, ces cylindres peuvent changer de position de quelques
nanomètres, puis y rester en attendant une réinitialisation électrique.
Dix fois plus rapide que la DRAM
Nantero annonce avoir développé un prototype de puce NRAM capable de stocker 1,2 Go de données, accessibles en lecture/écriture dix fois plus rapidement que la DRAM, tout en ne consommant que très peu d’électricité. Un autre
atout de cette puce est de pouvoir être fabriquée en utilisant des technologies proches de celles employées dans la production de RAM conventionnelle, donc déjà rentabilisées par l’industrie.‘ L’approche de Nantero a du sens, mais la concurrence sera rude ‘ , explique Steve Cullen, directeur de recherche semi-conducteurs chez In-Stat/MDR. Un certain nombre de technologies
sont en effet en lice afin de permettre l’apparition d’ordinateurs au ‘ boot instantané ‘, grâce à de la mémoire non volatile.
Un marché très convoité et à forte inertie
Plus largement, c’est la globalité du marché DRAM-SRAM-NVRAM (Non Volatil RAM) qui est visée, soit quelque 30 milliards de dollars en 2003. Aujourd’hui, il reste difficile de prédire quelles seront les technologies gagnantes
parmi les NRAM, FRAM (Ferroelectric RAM), MRAM (Magnetic RAM), PFRAM (Polymer Ferroelectric RAM), mémoire Ovonic ou autres MEMS (Micro Electro Mechanical Systems), ou encore Nanocrystals pour les technologies les moins avancées.Deux choses sont néanmoins tenues pour certaines. D’une part, la mémoire Flash, du fait de certaines limitations techniques notamment dans sa miniaturisation sera amenée à être remplacée. D’autre part, le marché de la
mémoire présente beaucoup d’inertie au changement, en raison des investissements énormes qui y sont réalisés. Il faudra donc du temps à la technologie gagnante pour s’imposer. Pour rappel, dix années ont été nécessaires à la mémoire Flash pour
atteindre le succès qu’on lui connaît.
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