IBM est en train de concevoir une nouvelle génération de transistors dotés d’un composant ajoutant du germanium au silicium. Ces tran-sistors atteindraient une fréquence de 210 GHz pour une consommation de 1 mA (performances ac-crues de 80 %, consommation électrique divisée par deux). Ils devraient être finalisés par IBM d’ici à deux ans et seront destinés aux opérateurs. Le germanium na jamais été utilisé à grande échelle.
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