De façon à répondre aux attentes des équipements réseau (10 Gigabit Ethernet, par exemple), des futurs PDA et GSM, sans oublier les dispositifs de stockage haute performance à venir, les géants du marché de la mémoire que sont
Infineon et Micron Technology viennent de rendre publiques les spécifications de la RLDRAM II (comprenez Reduced Latency Dynamic Random Access Memory).Il s’agit d’un nouveau type de mémoire ultra-haute performance capable de fournir une bande passante maximale de 3,6 Go/s, voire 5 Go/s dans le futur, en utilisant une interface de
36 bits de large. Destinée à être utilisée par exemple comme
mémoire cache de niveau 3, la RLDRAM II opère à 400 MHz et bénéficie d’un temps de cycle trois fois plus faible que celui de la
DDR-SDRAM et d’une latence deux fois moindre (20 ns), tout en acceptant un type d’adressage multiplexé ou non multiplexé.
Une architecture novatrice
Pour offrir de telles caractéristiques, cette nouvelle mémoire met en ?”uvre une architecture novatrice, dont l’objectif est avant tout de minimiser le délai entre le début d’un cycle et la disponibilité de la
première donnée. Elle devrait être proposée en modules de 288 Mbit au format FBGA à 144 broches se contentant d’une alimentation de 1,8 V, et ce, dès la fin du troisième trimestre de cette année, en attendant les modules de
576 Mbit à la mi-2004. Sa diffusion par les principaux constructeurs de mémoire devrait être large, dans le cadre d’accords de licence avec Micron et Infineon.
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