Intel annonce la réalisation, à titre expérimental, de la fabrication en une seule opération des circuits analogiques, logiques et de la mémoire flash sur la même pièce de silicium. Selon Intel, ces circuits intégrés sont cinq fois plus puissants que ceux utilisés aujourd’hui dans les mobiles et permettront d’opérer à plus de 1 GHz avec une autonomie dun mois. Ces progrès bénéficieront aux applications sans fil.
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