Intel vient de produire ses premiers circuits de mémoire flash gravés en 0,13 micron, en 1,8 volt. Associés à la technologie StrataFlash, ces circuits vont recevoir deux bits d’information par point mémoire au lieu de un, grâce à des cellules ” multiples niveaux “. Leur capacité est ainsi multipliée par deux, sans que leur taille soit modifiée, tout en allongeant leur durée de vie. Cette prouesse technologique va, en outre, faciliter l’intégration de ces circuits dans les produits mettant en ?”uvre l’architecture Intel PCA (Personal Internet Client Architecture), à savoir les téléphones mobiles, les smartphones, mais aussi les PDA. “Pour les mobiles, Intel proposera ces circuits en 32 et 64 Mo, sachant que les capacités doublent tous les deux ans”, déclare Gilles Pellet, directeur du marketing d’Intel Allemagne.Pour les PDA bénéficiant de l’architecture XScale, les capacités seront de 34, 128 et 256 Mo et les circuits seront directement intégrés aux prochains processeurs PXA.
65 % d’espace en plus
Ainsi le PXA 261 (200 MHz) exploitera un circuit mémoire StrataFlash de 128 Mo, occasionnant un gain d’espace de 56 % par rapport aux anciennes configurations. Sur le PXA 262 (300 MHz), deux circuits mémoire de 128 Mo seront empilés, le gain d’espace atteignant cette fois 65 %. La production des processeurs sera effective début 2003.
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