Plus 35 %. C’est le gain en rapidité qu’IBM annonce avoir obtenu sur ses processeurs. Une fois n’est pas coutume, ce n’est pas en augmentant la fréquence de ses processeurs que le géant américain a gagné en performances, mais en faisant circuler plus vite les électrons à l’intérieur de l’unité centrale. Pour cela, IBM a mis au point un nouveau processus d’altération du silicium. La technologie employée par IBM porte le nom de ” strained silicon “, ou silicium étiré. Elle exploite la tendance qu’ont les atomes d’un composant à s’aligner les uns avec les autres. Pour fabriquer ses puces, IBM utilise un mélange de silicone et de germanium (SiGe). Cette technologie consiste à ajouter sur le substrat constitué de SiGe une fine couche de silicium. Les atomes dans la couche de SiGe étant plus éloignés les uns des autres que ceux présents dans la couche de silicium, ces derniers vont s’espacer. Conséquence, l’interaction entre ces atomes est plus faible, ce qui accélère la circulation des électrons.
Disponible à l’horizon 2003
Selon les chercheurs d’IBM, les électrons se déplacent avec une vitesse 70 % supérieure, ce qui se traduit par des processeurs 35 % plus rapides. De plus, la circulation étant plus fluide, les processeurs chauffent moins, d’où une consommation d’énergie inférieure. IBM précise que sa technologie peut facilement être intégrée dans les processus standards de fabrication de semi-conducteurs. Les premiers processeurs exploitant cette technologie sortiraient des usines en 2003.
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