Smartphones, Chromebook, casques de réalité virtuelle ou augmentée ou encore solutions pour automobile intelligente, tous vont bientôt passer à la vitesse supérieure. La raison ? L’officialisation de nouvelles spécificités liées à la norme UFS 3.0, relative aux composants assurant le stockage (appelé NAND) sur tous ces appareils, par le JEDEC. Le JEDEC qui, rappelons-le, est un consortium regroupant beaucoup d’acteurs de la high tech, qui se charge d’établir et de valider les normes techniques théoriques d’un très grand nombre de composants électroniques.
Après 2.1, il y a 3
En préambule, voici une petite classification très sommaire des différents modules flash NAND existants. Le eMMC incarne l’entrée de gamme, avec un système de lecture/écriture dit alterné (« Half Duplex »). Le UFS, lui, est dit « Full Duplex », c’est-à-dire qu’il peut lire et écrire en même temps des données provenant d’un contrôleur donné.
En 2016, Samsung dévoilait ses premières cartes mémoire à base de modules UFS, ressemblant de loin à des microSD, étaient prêtes, sans toutefois annoncer une date possible de lancement.
Des modules UFS que le constructeur utilisaient déjà dans ses smartphones haut de gamme de l’époque, les Galaxy S6 et S6 Edge, pour assurer le stockage.
En outre, fin d’année dernière, Samsung (toujours lui) annonçait avoir lancé la production des premiers modules de 512 GB à la norme eUFS (Embedded Universal Flash Storage) dont certains pourraient être embarqués dans une prochaine génération de smartphones (le Galaxy S9 par exemple ?).
Si les modules de norme UFS 2.1 n’ont pas encore été massivement adoptés par l’industrie et que tout son potentiel n’a pas encore été atteint, le JEDEC pense déjà à demain. Et annonce que la norme UFS 3.0 et dérivée (UFSHCI 3.0 et UFSCE) pourra atteindre des vitesse de transfert théoriques allant jusqu’à 2,9 Go/s (ou 23,2 Gb/s sur deux lignes), soit deux fois la vitesse théorique du 2.1 !
Des vitesses tout à fait appréciables pour enregistrer, par exemple, des séquences vidéos 4K à 60 images par seconde (ou plus) sans que votre smartphone ne donne l’impression de peiner au bout de quelques secondes.
Bien entendu, pour exploiter ces modules UFS 3.0, il faudra que toute la plate-forme technique soit au diapason et donc capable de traiter de tels volumes de données.
Côté consommation, le JEDEC annonce que ces composants n’auraient besoin que de 2,5 volts pour fonctionner, contre 2,7 à 3,6 V pour les modèles actuels. Mieux encore, ils pourraient être utilisés au sein de dispositifs placés dans des appareils pouvant atteindre des températures assez élevées, comme dans une voiture par exemple.
Des NAND UFS 3.0 dans le futur Galaxy S10 ?
Quand verrons-nous arriver des appareils dotés de ce type de puces NAND ? Probablement pas tout de suite. Cependant, il y a fort à parier que Samsung soit parmi les premiers à les produire et les utiliser dans ses smartphones. Et pour cause, le géant coréen est le plus gros producteur de modules de stockage NAND au monde. Enfin, ces récentes annonces concernant la mémoire GDDR6 et la HBM 2.0 confirment bien ce dernier n’a pas l’intention de laisser la concurrence le rattraper.
Sources :
Samsung, Samsung (2), JEDEC
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