Miniaturiser les systèmes de stockage tout en accroissant leurs capacités, c’est ce à quoi se sont attelés les chercheurs de l’université de Californie en collaboration avec le fabricant d’électronique Samsung.Les équipes ont développé un nouveau type de mémoire flash au graphène, un matériau à base de graphite qui se présente sous la forme de feuillets en deux dimensions composé d’atomes de carbone. Les propriétés du graphène permettent de réduire la taille des cellules mémoire des circuits électriques et d’augmenter leur capacité de stockage. Ce matériau hautement résistant et moins gourmand en énergie, découvert en 2004 par les prix Nobel de physique Andre Geim et Konstantin Novoselov, pourrait à terme remplacer le silicium.
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