Pour augmenter la densité des transistors dans les circuits intégrés, des scientifiques de l’Institut de physique et de chimie des matériaux de Strasbourg ont imaginé une architecture de microfils en 3D. L’idée est d’utiliser un cristal liquide nématique (dans un état intermédiaire entre solide cristallin et liquide) pour créer une structure tridimensionnelle dans laquelle les microfils se connectent directement aux électrodes. Cette technique devrait permettre de repousser les limites physiques du silicium utilisé dans les circuits intégrés et par là même d’outrepasser la loi de Moore selon laquelle le nombre de transistors sur une puce double tous les deux ans.
🔴 Pour ne manquer aucune actualité de 01net, suivez-nous sur Google Actualités et WhatsApp.
