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Snapdragon 835 : Qualcomm officialise sa prochaine puce pour smartphone

Le concepteur américain a dévoilé quelques détails concernant le successeur du Snapdragon 820. Baptisée Snapdragon 835, cette puce inaugurera le nouveau système de charge rapide Quick Charge 4 et sera fabriquée dans les usines de Samsung. On devrait la retrouver dans de nombreux smartphones haut de gamme de 2017.

Cinq minutes de charge pour 5 heures de batterie supplémentaires. Voilà la première caractéristique officielle du Snapdragon 835. Une performance rendue possible grâce au nouveau système de charge rapide Quick Charge 4. Celle-ci promet également de recharger la moitié de la batterie des smartphones qui l’utiliseront en seulement 15 minutes ; soit une vitesse augmentée de 20 % par rapport au Quick Charge 3 actuel. Le reste des caractéristiques du prochain SoC (System on a Chip) superstar de Qualcomm seront dévoilées officiellement au CES de Las Vegas, le 3 janvier 2017. 

Qualcomm – Le Quick Charge 4 sera 2,5 fois plus rapide que la première version du système.

C’est lors de son Tech Summit annuel, qui a lieu en ce moment même à New York, que Qualcomm a officialisé le nom de la puce qui prendra la succession du Snapdragon 820. Ce système équipera vraisemblablement les prochains modèles de smartphones haut de gamme qui sortiront en 2017, à commencer par la version américaine du très attendu Galaxy S8. 

Samsung s’occupera de la gravure en 10 nm

Samsung s’est d’ailleurs invité à la fête sur la scène new-yorkaise de Qualcomm, par l’intermédiaire de Ben Sur, le vice-président de l’entité processeurs de la marque sud-coréenne. Celui-ci a confirmé que c’est Samsung qui fabriquera dans ses usines le nouveau Snapdragon 835, gravé en 10 nanomètres — le Snapdragon 820 utilisait une gravure de 14 nm. 

Rien de bien surprenant toutefois à cette annonce. Samsung était déjà chargé de fabriquer les précédentes générations de SoC de Qualcomm. En octobre dernier, la société annonçait qu’elle commencerait prochainement la production de masse de puces gravées en 10 nm. Cette technologie permettra de réduire de 30 % la taille du SoC (libérant de la place au sein du smartphone), d’augmenter de 27 % ses performances tout en consommant 40 % d’énergie en moins. 

On attend beaucoup de cette nouvelle plateforme de référence qui devra prouver concrètement une hausse des performances combinée à la baisse de la consommation électrique. Le Snapdragon 835 devrait également être taillé pour les usages de réalité virtuelle et augmentée. En septembre dernier à l’IFA de Berlin, Qualcomm avait en effet présenté son premier casque du genre, affirmant sa volonté d’être un acteur important de ce secteur en plein essor.

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Jean-Sébastien Zanchi, à New York