La nouvelle génération de mémoire, la MRAM, poursuit ses pérégrinations sur les sentiers de la high tech. Développée depuis les années 1990, ce type de mémoire magnétique et non-volatile (capable de stocker les données en somme) revient sous les feux de la rampe, propulsé par Intel et Samsung à l’occasion du 64ème salon International Electron Devices Meeting.
Un ancien nouvel Eldorado
Les deux géants des semi-conducteurs ont affirmé être en capacité de produire des modules de Magnetic Random Access Memory, proposant une durée de vie (plus de 10 ans), une résistance aux fortes chaleurs (plus de 200°C, idéal pour les serveurs ou les dispositifs embarqués) et des vitesses de lecture/écriture bien supérieures à celles des composants DRAM ou NAND (utilisé pour le SSD) actuels. Si Intel et Samsung ne les ont pas précisé lors de cette nouvelle communication, les débits théoriques avancés de chaque module sont environ mille fois supérieurs à ceux atteints par les modules NAND actuels. Quand même !
Chez Intel, il est question de pouvoir fabriquer des modules STT (Spin-Transfer Torque) en 22 nm FFL (FinFET Low Power) et chez Samsung, on parle de composants gravés en 28 nm en FDSOI (Fully Depleted Silicon On Insulator).
Aucune des deux marques n’a précisé à quel horizon les productions de masses pourraient commencer mais certaines sources – évoquées par le site Web EETimes – affirment que la MRAM Intel serait déjà présente, en petite quantité, dans des solutions disponibles, sans toutefois préciser lesquelles. Sans doute des produits envoyés à des testeurs ou des industriels pour des évaluations ou faire des comparatifs voire, concevoir de prototypes. Samsung, de son côté, a plusieurs fois évoqué lors de salons ou de forums ces deux dernières années, que la production de masse pourrait commencer entre 2019 et 2020.
Selon les spécialistes, le domaine des objets connectés (Internet of Things ou IoT) serait le premier intéressé par ce type de mémoire car il peut être implanté sur d’autres circuits (SoC, etc.) et a des propriétés d’économie d’énergie théoriques alléchantes.
De l’électrique au magnétique
Sur la MRAM, l’information n’est pas une charge électrique hébergée dans un module, mais une orientation magnétique qu’un lecteur approprié sait interpréter et traduire sous forme de données. Comme aucun mouvement d’électron n’est impliqué dans le processus de changement d’état, la MRAM serait théoriquement inusable et consommerait moins d’électricité puisque non-sujette à la déperdition d’énergie liée aux mouvements des particules.
La MRAM représenterait donc une bonne alternative aux solutions mémoires actuelles car la marge de progression en la matière est encore conséquente. De plus, elle coûte de moins en moins cher à produire les progrès technologique aidant, ce qui n’est pas le cas des modules actuels ! L’exact opposé de la mémoire actuelle, dont la miniaturisation devient de plus en plus fastidieuse et coûteuse, tant en termes de temps que d’argent.
Néanmoins l’arrivée massive de la MRAM n’est pas encore pour demain. Il faudra sans doute encore beaucoup de temps avant qu’elle arrive à s’imposer tant sur les barrettes que dans les solutions de stockage de nos ordinateurs, smartphones, etc.
En 2013, plus de 20 géants japonais et américains du secteur ont formé une alliance autour de la MRAM afin d’intensifier les recherches en la matière et commencer à assurer une production à horizon 2018. Les délais annoncés sont (presque) respectés.
Sources :
EETimes,
Everspin
BusinessWire
Silicon.fr
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